Skip to content
Biblioteca de la URV               Catàleg de la Biblioteca
Reiniciar My Lists Exportar Visualització MARC Tornar a navegar Una altra cerca
     
Limitar als exemplars disponibles
Registre 13 de 17
Pàgina de resultats: Registre anterior Registre següent
Autor Holtij, Thomas
Títol Analytical compact modeling of nanoscale multiple-gate MOSFET [Manuscrit] / Thomas Holtij ; supervised by Benjamín Iñíguez and Alexander Kloes
Publicació/producció [Tarragona] : Universitat Rovira i Virgili, 2014
Valoració Valoració
 Consulta tipus de préstec  Consulta on es troba  
Ubicació Localització Volum Codi de barres Estat Tipus de préstec Nota
 CRAI Campus Sescelades (CT) Planta 2  TESIS 621.3 Holtij  1700584735  CONSULTA A SALA  NO PRÉSTEC  Demaneu-lo al taulell de préstec
Més informació
 
 
 
 

Descripció bibliogràfica

Descripció xxiii, 155 p. : il. ; 25 cm
Col·lecció Universitat Rovira i Virgili. Tesis doctorals
Sescelades. Tesis (Ciència i Tecnologia)
Sescelades. Tesis (ETSE)
Tesi Tesi doctoral - Universitat Rovira i Virgili. Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica, 2014
Sumari L'objectiu principal d'aquest treball és el desenvolupament d'un model compacte per a MOSFETs de múltiple porta d'escala nanomètrica, que sigui analític, basat en la física del dispositiu, i predictiu per a simulacions AC i DC. Els dispositius investigats són el MOSFET estàndar en mode d'inversió, a més d'un nou dispositiu anomenat "junctionless MOSFET" (MOSFET sense unions). El model es va desenvolupar en una formulació compacta amb l'ajuda de l'equació de Poisson i la tècnica de la transformación conforme de Schwarz-Cristoffel. Es varen obtenir les equacions del voltatge llindar i el pendent subllindar. Usant la funció W de Lambert, a més d'una funció de suavització per a la transició entre les regions de depleció i acumulació, s'obté un model unificat de la densitat de càrrega, vàlid per a tots els modes d'operació del transistor. S'estudien també les dependències entre els paràmetres físics del dispositiu i el seu impacte en el seu rendiment. Es tenen en compte efectes importants de canal curt i de quantització. Es discuteixen també la simetria al voltant de Vds= 0 V, i la continuïtat del corrent de drenador en les derivades d'ordre superior. El model va ser validat mitjançant simulacions TCAD numèriques i mesures experimentals.
Formats físics Versió electrònica de la mateixa versió impresa
Matèria Transistors MOSFET -- Tesis i dissertacions acadèmiques
Nanoelectrònica -- Tesis i dissertacions acadèmiques
Gènere/Forma Tesis i dissertacions acadèmiques
Autor addicional Iñiguez, Benjamin, dir.
Kloes, Alexander, dir.
Universitat Rovira i Virgili. Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica
Universitat Rovira i Virgili. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria de Tarragona

Més informació

 


Centre de Recursos per a l'Aprenentatge i la Investigació
Pregunt@